场效晶体管
2N7002
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类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):115mA 功率(Pd):200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):5pF@25V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

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