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集成电路 IC
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晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：625mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：100mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,6V 特征频率(fT)：80MHz 工作温度：+125℃@(Tj) GR档200-400 NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400
