场效晶体管
P2003EVG
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产品详情
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA P沟道

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