为了使N沟道MOSFET裸片工作，需要在G和S之间加一个正电压VGS，在D和S之间加一个正电压VDS，以产生正向工作电流ID。工作电流ID可以通过改变VGS的电压来控制。如果不先接VGS（即VGS=0），则在D、S电极之间加一个正电压VDS，漏极D和衬底部之间的pN结方向反了，所以漏源不能通电。如果在栅极G和源极S之间加一个电压VGS。此时栅极和衬底部可以看成器件的两块极板，以氧化绝缘层作为电容的介质。添加VGS后，在绝缘层与栅极的界面上感应出正电荷，而在绝缘层与p型衬底部的界面上感应出负电荷。该层感应出的负电荷与p型底部中的多数载流子（空穴）的极性相反，故称为“反型层”。该反型层可以连接漏极和源极的两个N型区。连接形成导电通道。当VGS电压过低时，感应出的负电荷较少，会被p型衬底中的空穴中和，因此此时漏极和源极之间仍然没有电流ID。当VGS增加到一定值时，感应的负电荷连通两个分开的N区，形成N沟道。这个临界电压称为开启电压（或阈值电压，thresholdvoltage），用符号VT表示（一般规定ID=10uA时的VGS为VT）。当VGS继续增.大时，负电荷增.大，导电沟道扩大缩小，ID也增.大，呈较好的线性关系，这条曲线称为传递特性。因此，在一定范围内，可以认为通过改变VGS来控制漏源极间的电阻，达到控制ID的效果。由于这种结构在VGS=0时ID=0，所以这种MOSFET裸片被称为增.强型。另一种MOSFET裸片在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。Vp为夹断电压（ID=0）。耗尽型和增.强型的主要区别在于SiO2绝缘层中存在大量的正离子，从而在p型衬底部的界面处感应出更多的负电荷，即p型硅在两个N型区域的中间。内部形成N型硅薄层形成导电沟道，所以当VGS=0时，VDS作用时有一定的ID（IDSS）；当VGS有电压（可以是正电压或负电压）时，改变感应负电荷的数量，从而改变ID的大小。ID=0时Vp为-VGS，称为夹断电压。